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STD180N4F6

功能描述：N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1

制造商：stmicroelectronics

系列：STripFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：130nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7735pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：*

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

标准包装：1

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